DMN6075S-13
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
DMN6075S-13Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor：
SOT-23-3
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
2A (Ta)
Disipación de energía (máx.)：
800mW (Ta)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
12.3 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
85mOhm @ 3.2A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
606 pF @ 20 V
