NE3513M04-A
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
رقم الجزء:
NE3513M04-A
الموديل البديل:
NE3513M04-T2-A
صانع:
CEL (California Eastern Laboratories)
تصنيف .:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > RF FETs, MOSFETs >
وصف:
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04
روهس:
NO
NE3513M04-A مواصفة
الجهد - تصنيف:
4 V
إعدادات:
N-Channel
تكرار:
12GHz
يكسب:
13dB
الجهد - الاختبار:
2 V
الاختبار الحالي:
10 mA
مخرج قوي:
125mW
تكنولوجيا:
GaAs HJ-FET
الحزمة / القضية:
SOT-343F
التصنيف الحالي (أمبير):
60mA
حزمة جهاز المورد:
M04
شكل الضوضاء:
0.65dB
استفسار سريع
الشركة المصنعة القياسية التسليم:غير محدد
معيار كمية التعبئة والتغليف:1600
الكمية
سعر الوحدة
الأسعار الدولية
نصيحة => يرجى ملء النموذج أدناه . سوف نتصل بك في أقرب وقت ممكن .
اسم الشركة:
من فضلك أدخلاسم الشركة
اسم:
من فضلك أدخلاسم
تلفون .:
من فضلك أدخلتلفون .
صندوق البريد:
من فضلك أدخلصندوق البريد
الكمية:
من فضلك أدخلالكمية
وصف:
من فضلك أدخلوصف
رمز التحقق:
الرجاء إدخال رمز التحقق