IPB47N10S33ATMA1
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
رقم الجزء:
IPB47N10S33ATMA1
الموديل البديل:
SS26T3G
صانع:
IR (Infineon Technologies)
تصنيف .:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
وصف:
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
روهس:
YES
IPB47N10S33ATMA1 مواصفة
نوع التركيب:
Surface Mount
نوع فيت:
N-Channel
تكنولوجيا:
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى):
±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss):
100 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق):
10V
درجة حرارة التشغيل:
-55°C ~ 175°C (TJ)
الحزمة / القضية:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية:
47A (Tc)
حزمة جهاز المورد:
PG-TO263-3-2
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs:
105 nC @ 10 V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف:
4V @ 2mA
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds:
2500 pF @ 25 V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى):
175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs:
33mOhm @ 33A, 10V
استفسار سريع
الشركة المصنعة القياسية التسليم:غير محدد
معيار كمية التعبئة والتغليف:1600
الكمية
سعر الوحدة
الأسعار الدولية
نصيحة => يرجى ملء النموذج أدناه . سوف نتصل بك في أقرب وقت ممكن .
اسم الشركة:
من فضلك أدخلاسم الشركة
اسم:
من فضلك أدخلاسم
تلفون .:
من فضلك أدخلتلفون .
صندوق البريد:
من فضلك أدخلصندوق البريد
الكمية:
من فضلك أدخلالكمية
وصف:
من فضلك أدخلوصف
رمز التحقق:
الرجاء إدخال رمز التحقق