FDD3N40TF
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
FDD3N40TF Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±30V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
5V @ 250µA
الحزمة / القضية：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
400 V
حزمة جهاز المورد：
TO-252AA
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
2A (Tc)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
30W (Tc)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
6 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
3.4Ohm @ 1A, 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
225 pF @ 25 V
