FDB8832
MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB
FDB8832 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
30 V
حزمة جهاز المورد：
TO-263 (D2PAK)
الحزمة / القضية：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف：
3V @ 250µA
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)：
300W (Tc)
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
11400 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
1.9mOhm @ 80A, 10V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
265 nC @ 10 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
34A (Ta), 80A (Tc)
